雙靶磁控濺射儀主要由陶瓷靶/電解液制備部分，電極膜沉積系統和惰性氣氛手套箱組成，主要組件包括有機/金屬源蒸發沉積室，真空排氣系統和真空測量系統，蒸發源，樣品加熱溫度控制，電氣控制系統，氣體分配系統，高溫燒結爐，手套箱等零件。通過采用其中真空沉積室被手套箱包裹的結構模型，將熱蒸發沉積室放置在手套箱中。在水和氧氣≤1PPM的氣氛中，可以更方便地完成：更換樣品，更換蒸發材料，連續制備鋰和金屬薄膜，陶瓷燒結和電池包裝；沉積室也可以通過過渡室取出。由于保護了惰性氣氛，因此在實驗中可以提高高質量薄膜制備和包裝的效率。

　　雙靶磁控濺射儀是一種新開發的鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜，導電薄膜，合金薄膜，半導體薄膜，陶瓷薄膜，介電薄膜，光學薄膜和氧化物薄膜，硬膜，聚四氟乙烯膜等。與同類設備相比，不僅用途廣泛，而且具有體積小，操作簡便的優點。它是用于實驗室制備材料薄膜的理想設備。配備有兩個靶槍，一個是輔助射頻電源，用于非導電靶的濺射鍍膜，另一個是輔助直流電源，用于對導電材料的濺射鍍膜；它可以制備各種薄膜，具有廣泛的應用范圍；體積小，操作簡單。

　　1、真空室具有前后門雙開結構，便于設備維護以及實驗樣品的安裝和更換，已安裝一個具有自傳功能的樣品臺。真空室的組件，包括蒸發源，分子泵吸氣口，真空測試探針和膜厚測試探針，都具有合理的布局。真空室的真空度可以達到10-5Pa，關閉12小時后泄漏率小于或等于5Pa。

　　2、有4套蒸發源，包括2套束流源爐和2套鎢絲加熱蒸發舟。蒸發溫度的控制精度為±1℃。蒸發源采用全封閉結構，*消除了交叉污染。

　　3、濺射方法包括射頻和直流：自動阻抗匹配可以在射頻模式下完成；直流電源功率為2kw。

　　4、樣品臺具有旋轉，提升和加熱的功能，并具有在線更換面罩的功能，并且面罩可以無間隙地粘合到樣品上。樣品臺可以同時加載四個樣品，每個樣品都有一個獨立的擋板，并且可以通過操縱器在線控制開關。

　　5、樣品加熱系統配備了精度為±1℃的樣品加熱電源。

　　6、膜厚測試組件可以實現膜厚的原位檢測。

　　7、雙靶磁控濺射儀具有水壓檢測，缺相保護和誤操作保護等功能。

　　8、手套箱部件可以達到的水和氧氣值小于1ppm。

　　9、內置手套箱高溫爐，爐體尺寸為15*15*15cm，高溫度可達1400℃。