PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）管式爐借助等離子體活化反應氣體，在低溫下實現薄膜沉積，憑借高成膜質量與廣泛適用性，成為半導體、光伏等領域的關鍵設備。?

　　半導體行業中，在14nm芯片制程中，需制備30-50nm的氮化硅（SiN）隔離層，傳統熱CVD需800℃以上高溫，易導致晶圓摻雜擴散。PECVD管式爐在300-400℃下，通過射頻等離子體（13.56MHz）將氨氣與硅烷分解為活性基團，沉積的SiN薄膜應力可控制在500MPa以內，均勻性（wafer內偏差≤1%）滿足芯片層間絕緣需求。?

　　光伏領域，它助力高效電池量產。PERC電池背面的氧化鋁（Al?O?）鈍化層依賴PECVD管式爐制備，在550℃下，將三甲基鋁與氧氣通過等離子體活化，沉積的Al?O?膜厚度控制在5-8nm，表面復合速率降至100s?¹以下。該工藝使電池開路電壓提升20mV，轉換效率提高0.5%。鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層（如TiO?）也由其制備，低溫（150℃）沉積特性避免鈣鈦礦層熱分解。?

　　光學薄膜制備中，它能精準調控膜層性能。在紅外光學元件中，管式爐沉積的氟化鎂（MgF?）增透膜在3-5μm波段透過率達99%，且耐摩擦性能（鉛筆硬度3H）優于蒸發鍍膜。制備多層濾光片時，通過交替沉積SiO?（高折射率）與SiN（低折射率）膜，可實現400-700nm波段的窄帶濾波（半帶寬≤10nm）。?

　　柔性電子領域，它突破低溫沉積瓶頸。聚酰亞胺基底上的石墨烯透明電極，需在150℃以下沉積保護層，管式爐通過等離子體增強反應，使氮化硼（BN）膜在120℃成膜，該工藝制備的柔性顯示屏觸控電極，彎折10萬次后導電性保持率超90%。?

　　與其他沉積設備相比，PECVD管式爐的優勢在于：沉積溫度降低300-500℃，適合熱敏基底；膜層附著力（劃格測試5B級）與致密度（孔隙率≤0.5%）更優；管式結構支持批量生產（一次處理50-100片6英寸晶圓），單位面積成膜成本降低30%。這些特性使其成為低溫薄膜制備的理想設備，推動著新材料技術的產業化進程。?